规格书 |
NSS40500UW3T2G |
文档 |
Wire Bond 07/Sept/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Wire Bond Change 07/Sept/2011 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 260mV @ 400mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 180 @ 2A, 2V |
功率 - 最大 | 875mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 3-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 3-WDFN (2x2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3WDFN |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 40 V |
集电极最大直流电流 | 5 A |
最小直流电流增益 | 250@10mA@2V|250@500mA@2V|220@1A@2V|180@2A@2V|150@3A@2V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.015@0.01A@0.1A|0.08@0.1A@1A|0.13@0.01A@1A|0.22@0.02A@2A|0.34@0.03A@3A|0.26@0.4A@4A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1500 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DFN |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1500 |
最大基地发射极电压 | 7 |
Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | WDFN |
最大集电极发射极电压 | 40 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 260mV @ 400mA, 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | 3-WDFN (2x2) |
功率 - 最大 | 875mW |
封装/外壳 | 3-WDFN Exposed Pad |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 180 @ 2A, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.31 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 250 |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 40 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | - 40 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | - 5 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 5 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 40 V |
发射极 - 基极电压 | 7 V |
频率 | 100 MHz |
功率耗散 | 1.5 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | WDFN |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 5 A |
长度 | 2 mm |
系列 | NSS40500UW3 |
身高 | 0.75 mm |
Pd - Power Dissipation | 875 mW |
品牌 | ON Semiconductor |
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